Como sabrás, a pesar de no haber sido tan notoria en el pasado reciente, ¡la tecnología está en constante evolución! Con importantes mejoras en el rendimiento y eficiencia de cualquier componente apareciendo en cada nueva generación de productos.
Esto se aplica a los procesadores, las tarjetas gráficas y, por supuesto, la RAM, uno de los componentes más importantes de cualquier dispositivo informático.
Pero, esta evolución hoy en día depende mucho de la llegada de nuevos procesos productivos, donde sea posible miniaturizar el transistor, y así aumentar el rendimiento de cualquier chip. Esta es exactamente la razón por la que TSMC es tan importante y por qué sus productos son tan caros.
Precisamente por eso los fabricantes se ven ahora obligados a tirar de cabeza, a innovar en sus productos y a escapar un poco de las grandes novedades de TSMC o Samsung, que piden mucho ruido para acceder a sus 4nm o 3nm. líneas.
Dicho todo esto, en el caso de la RAM, ¡todo esto significa subir! Tengo que empezar a acumular fichas. ¡Estamos hablando de la llegada de los chips 3D DRAM! ¡Es cuestión de tiempo! Sin embargo, la industria aún no sabe cómo los producirá.
¡La RAM 3D está en camino! Pero nadie sabe cómo.
Portanto, num mundo tecnológico em que a performance parece estar de mãos dadas com a chegada de novos processos de produção ao mercado, a memória RAM vai ter de seguir o mesmo caminho dos processadores e SDDs, ou seja, está na altura de começar a empilhar ¡la cosa! ¡La dirección es vertical!
Sin embargo, si bien ya es posible ver este tipo de tecnología en la parte de almacenamiento, y hoy en día también en los procesadores, más concretamente en la parte de la memoria Cache, la industria aún no sabe cómo implementará esta “novedad” en la memoria RAM. Precisamente por eso, a pesar de estar en camino, los chips de memoria DRAM 3D no deberían llegar al mercado hasta entre 2028 y 2030. ¿Por qué? Limitaciones técnicas de las líneas de producción actuales.
Además, una arquitectura DRAM 3D tiene que resolver varios problemas de escalado, apilamiento, reducción de espacio y otros.
En resumen, la primera iteración de la memoria DRAM 3D ahora simulada incluye 28 capas de celdas de memoria, pero necesita un proceso de fabricación al menos dos nodos más avanzado que los actuales.
¡Está en camino, pero aún está lejos!