Al parecer, parece que Samsung Electronics podrá marcar su nombre en la historia gracias al disco SSD más grande del mundo. El objetivo es que tenga un tamaño aproximado de un petabyte (1000 terabytes).
Según Tweak Town, es muy posible que la tarjeta antes mencionada esté más cerca de llegar de lo esperado. Esto contradice la información que se ha reportado en los últimos tiempos.
No hay una fecha concreta, pero una nueva investigación plantea la hipótesis de que está más cerca de lo que se pensaba.
Recordemos que, en marzo de 2023, comenzaron a aparecer informes de que Samsung tardaría alrededor de 10 años en lograr esta hazaña. El éxito de algunas nuevas investigaciones plantea la posibilidad de que, después de todo, lleve mucho menos tiempo.
Dicho esto, lo cierto es que una tarjeta SSD de 1000 terabytes puede llevar algo de tiempo. Sin embargo, lo bueno es que hay un estudio que sugiere que este objetivo es una realidad que puede estar más cerca de lo estimado.
La investigación fue realizada por Giwuk Kim, del Departamento de Ingeniería Eléctrica del Instituto Avanzado de Ciencia y Tecnología de Corea (KAIST). Éste analiza Hafnia Ferroeletrics y aborda la posibilidad de tarjetas más eficientes.
La investigación es coautora de Samsung.
Lo más curioso de todo esto es que la obra fue coautora de ¿quién? Por supuesto, de Samsung Electronics. En cuanto al título del trabajo, es «Análisis en profundidad de los ferroeléctricos de Hafnia como habilitador clave para bajo voltaje y demostración de capa QLC 3D VNAND Plus 1K y modelado experimental» (a través de Tweak Town).
Por todo ello, se puede hipotetizar que Samsung ya tiene en mente sus baterías para diseñar una tarjeta de 1000 terabytes. De hecho, no se conoce una fecha concreta, pero el éxito de algunas lecciones extraídas hace pensar que una solución podría estar en camino, en menos de 10 años.
Aunque los términos son bastante técnicos, la obra puede leerse:
“Hemos demostrado experimentalmente una mejora notable en el rendimiento, impulsada por la interacción de la captura de carga y los efectos de conmutación ferroeléctrica (FE) en la capa intermedia de puerta diseñada con banda de metal (BE-G.IL) – capa intermedia de canal FE (Ch.IL) – Si ( MIFIS) FeFET.
MIFIS con BE-G.IL (BE-MIFIS) facilita la ‘retroalimentación positiva’ maximizada (Posi. FB.) de efectos duales, lo que lleva a un voltaje de funcionamiento bajo (VPGM/VERS: +17/-15 V). ), una amplia ventana de memoria (MW: 10,5 V) y perturbaciones insignificantes con un voltaje de polarización de 9 V”.
Las señales son buenas y sugieren que Samsung podrá alcanzar su objetivo en menos tiempo de lo que se pensaba. Queda esperar la evolución futura.
