Samsung inició el desarrollo de memorias DDR6 y GDDR6

Altavoz inteligente Echo Dot

Esta semana Samsung efectuó el acontecimiento Samsung Tech Day 2021 y con eso anunció nuevos datos de lo que la compañía quiere traer en creaciones para los próximos años, en especial en la división de semiconductores. Este es un acontecimiento mucho más cerrado que necesita registro para formar parte y es imposible publicar los materiales oficiales allí expuestos, pero ComputerBase trajo ciertas noticias reveladas por la compañía, en especial con relación a las novedosas memorias DDR6, GDDR7 y HBM3.

Hoy día, el foco primordial de las memorias prosigue estando en las DDR5, que por el momento comienzan a llegar al mercado y ahora traen una enorme innovación con relación a las memorias DDR4. Lo mismo sucede con los chips GDDR6 y HBM2, que son recientes y aún están en el punto de atención.

No obstante, Samsung revela que mira hacia el futuro y por este motivo ahora se prepara para las próximas generaciones de estos elementos. Para esto, descubrió que está en las fases de investigación a fin de que logren conseguir un avance conveniente y, con esto, enormes novedades como saltos en lo que se refiere a agilidad.

Lea asimismo:

Samsung muestra la primera memoria DRAM LPDDR5X para teléfonos inteligentes
El valor de la memoria DDR5 va a ser hasta un 60% mucho más prominente que DDR4, pronostica MSI

Las novedosas memorias DDR6 aceleran hasta 17.000 MT/s

Para comenzar, charlemos algo de las novedosas memorias DDR6. Van a suponer un salto en relación a las novedosas DDR5 que han comenzado a salir al mercado a finales del actual año con la 12ª generación de Intel Alder Lake siendo el primer conjunto de procesadores en tener compatibilidad con esta clase de tecnología.

As novas memórias DDR5 significam um incremento considerável na velocidade y también podem atingir anudé 8.500 MT/s, além também de trazerem novidades na arquitetura com mudanças como controlador de voltagem que viene dentro, correção de erros, hub SPD que permitem armazenar perfis de voltagem y también de overclocking, por ejemplo.

Con la situación de hoy del mercado y la escasez de elementos, estas novedosas memorias tienen la posibilidad de tener una adopción un tanto mucho más extendida, con lo que la previsión es que duren por lo menos 2 años. Aun pues llegan con costes superiores, con lo que por el momento solo deberían ser parte de ideas mucho más expertos, demorando un tanto mucho más en llegar al cliente común.

Pero, aun con el comienzo de la adopción de las memorias DDR5, Samsung ahora trajo al Tech Day sus proyectos de cara al desarrollo de la próxima generación, las memorias DDR6, aparte de descubrir ciertos datos sobre qué aguardar de ellas.

DDR6

En la tabla comparativa entre los modelos de memorias podemos consultar que las velocidades máximas mucho más que se tresdoblaron de DDR4 a DRR6, pasando de 5.333 MT/s hasta 17.000 MT/s. Este valor se duplica para DDR6 en comparación con DDR5, que tiene una agilidad máxima de 8.500 MT/s.

La agilidad estándar asimismo sostiene este esquema, pasando de 6.400 MT/s para DDR5 a 12.800 MT/s para DDR6. Y DDR4, a 3200 MT/S, es unas 4 ocasiones mucho más pequeña que la generación futura.

Otro cambio está relacionado con los canales del módulo. Al paso que las memorias DDR4 tienen solo 1 canal, DDR5 ha incrementado a 2 canales y DDR6 duplicará esa cantidad, teniendo 4 canales.

Samsung asimismo charló un tanto sobre LPDDR (Low Power DDR), o sea, memoria DDR de bajo consumo. La compañía confirmó el LPDDR5X, que tiene velocidades que llegan hasta los 8.500 MT/s y empezará a construirse el año próximo 2022. Los chips LPDDR6 que van a llegar al lado de las memorias DDR6 asimismo van a deber lograr los 17.000 MTS/s, si bien van a tener un 20 % de reducción del consumo.

Pero merece la pena rememorar que las informaciones anunciadas en el acontecimiento tienen la posibilidad de cambiar hasta 2024, que es en el momento en que debería llegar la documentación final sobre exactamente las mismas. Eso es por el hecho de que Samsung trabaja con los otros integrantes de JEDEC, un organismo responsable de determinar los protocolos de memoria. En este conjunto asimismo está SK Hynix y otros desarrolladores y quieren determinar los factores para las memorias DDR6 y LPDDR6.

Samsung asimismo descubrió sus proyectos para el GDDR7

GDDR6

La compañía asimismo charló un tanto sobre las memorias GDDR, que están dedicadas a las tarjetas de vídeo. De la misma las memorias RAM, están en su generación GDDR6, pero llevan mucho más tiempo en el mercado desde el instante en que se publicaron al mercado en 2018 con la llegada de las GPU Nvidia GeForce RTX 2000.

Las memorias recientes tienen la posibilidad de llegar hasta los 18 Gbps y el desarrollador surcoreano ahora anunció sus proyectos de acrecentar el reloj hasta los 24 Gbps a finales del año vigente con la publicación de una versión actualizada, GDDR6+. Esta novedosa versión es aun mucho más fuerte que la GDDR6X, una solución de Micron que emplea Nvidia y que garantiza una agilidad de 21 Gbps.

Aparte de esta novedosa versión de GDDR6, Samsung asimismo mostró los primeros datos de la novedosa generación, GDDR7, que debería llegar con velocidades un 70% superiores a las presentes y llegando a los 32 Gbps. No obstante, aún no se conoce cuándo va a suceder eso.

Otra característica novedosa que viene con GDDR7 es una exclusiva función de «corrección de fallos en el mismo instante». Más allá de que se anunció, no se explicó en aspecto la función, con lo que aún no se conoce precisamente de qué manera va a funcionar.

Aquí asimismo hay opciones de cambios, en tanto que estas memorias asimismo están esperando del aviso de los factores oficiales de la JEDEC.

HBM3 va a poder lograr hasta 8000 GB/s

HBM3

Por último, otro punto planteado por Samsung a lo largo del acontecimiento es sobre las próximas HBM (High-Bandwith Memory), que son memorias destinadas a la computación de prominente desempeño (HPC) tanto para procesadores para tarjetas de vídeo de servidor. Esto se origina por que la arquitectura de estas memorias les deja lograr velocidades altísimas.

En la actualidad el estándar es HBM2, que puede lograr tasas de transferencia de hasta 410 GB/s, aparte del nuevo HBM2Y también, ediciones mejoradas cuyas tasas llegan hasta los 450 GB/s. Samsung ahora trabaja en la próxima generación, el HBM3, y su propósito es casi duplicar estas velocidades, llegando hasta los 800 GB/s.

Descubrió que quiere publicar una memoria llevada a cabo eminentemente para ser perfecto para apps de Sabiduría Artificial, y que su producción en masa ahora empezará en el segundo período de tres meses de 2022, esto es, entre abril y junio.

Fuente: ComputerBase, VideoCardz, WCCFTech (1, 2)

Tommy Banks
Estaremos encantados de escuchar lo que piensas

Deje una respuesta

TecnoBreak | Ofertas y Reviews
Logo
Enable registration in settings - general
Shopping cart