Samsung revela los primeros detalles de las memorias DDR6 con hasta 17.000 MT/s

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Samsung festejó esta semana el Samsung Tech Day 2021, un acontecimiento de forma anual en el que la compañía señala las noticias que su división de semiconductores prepara para los próximos años. El acontecimiento necesita registro y no deja la difusión de materiales oficiales, pero el sitio ComputerBase reunió una parte de la información más esencial, resaltando las memorias DDR6, GDDR7 y HBM3.

Si bien las memorias DDR5 llegaron últimamente al mercado, y los chips GDDR6 y HBM2 aún son bastante recientes, colosales como Samsung ahora se están mejorando para la próxima generación, lo que dejará el avance correspondiente de tecnologías que, parece ser, tienen la posibilidad de traer un enorme salto en la agilidad. .

Las memorias DDR6 tienen la posibilidad de lograr los 17.000 MT/s

Las memorias DDR5 comenzaron este año, con la 12.ª generación de Intel Alder Lake como la primera familia de procesadores coincidente con la tecnología. Aparte de velocidades relevantemente mucho más altas, que tienen la posibilidad de lograr los 8500 MT/s, los módulos DDR5 emplean cambios arquitectónicos profundos, como un controlador de voltaje que viene dentro, corrección de fallos internos, concentrador SPD para almacenamiento de perfil de voltaje y overclocking, y mucho más.

Se estima que su adopción plena dure por lo menos un par de años, estimando que las creaciones han impactado en los costes, damnificados asimismo por la escasez de chips. Aún de esta manera, Samsung aprovechó el Tech Day para corroborar el avance de las memorias DDR6, y revelar los primeros datos de la próxima generación de RAM.

Samsung espera lograr velocidades de hasta 17.000 MT/s con memorias DDR6, pero los estándares JEDEC podrían cambiar hasta el aviso oficial (Imagen: ComputerBase)

Se estima que los nuevos módulos alcancen velocidades estándar de 12.800 MT/s, el doble de los 6.400 MT/s estándar de DDR5. Además de esto, con overclocking, la memoria RAM DDR6 puede prestar unos increíbles 17 000 MT/s, mucho más del doble de los 8500 MT/s del protocolo de hoy. Otra novedad es el incremento del número de canales por módulo, que en este momento es de 4 — DDR5 ahora había incrementado el número a 2 en comparación con el canal único de los módulos DDR4.

La compañía asimismo trajo datos sobre la versión de bajo consumo de las memorias DDR, Low Power DDR (LPDDR). Mucho más en concreto, se ha podido confirmar que el nuevo LPDDR5X, con velocidades de hasta 8.500 MT/s, va a entrar en producción a inicios de 2022. Además de esto, los chips LPDDR6 deberían debutar al lado de DDR6 y lograr asimismo los 17.000 MT/s, aun con 20 % de reducción del consumo.

Entre las noticias de DDR6 es el incremento del número de canales por módulo a 4, el doble de lo que da DDR5 (Imagen: Samsung)

Mencionado lo anterior, nuestro enorme surcoreano confirmó que prosigue haciendo un trabajo con el resto de integrantes de JEDEC, el organismo solicitado de determinar los protocolos de memoria que incluye a Samsung, SK Hynix y otras compañías entre sus integrantes, para determinar los factores de DDR6 y LPDDR6. . La documentación final no debería llegar hasta 2024, con la oportunidad de que las informaciones anunciadas esta semana cambien para entonces.

Samsung prepara GDDR7 un 70% mucho más veloz que GDDR6

Samsung asimismo trajo noticias para las memorias GDDR, dedicadas a las tarjetas de vídeo. Hoy día, la industria emplea el estándar GDDR6, que comenzó en 2018 con las GPU Nvidia GeForce RTX 2000, cuyas velocidades alcanzan los 18 Gbps.

El enorme surcoreano descubrió que quiere agrandar el reloj a 24 Gbps en el mes de noviembre, con el debut de las memorias que llamó «GDDR6+». Con la noticia, la compañía se adelanta a la solución GDDR6X de Micron, usada solo por Nvidia de momento, cuya agilidad máxima se establece en 21 Gbps.

Con las memorias GDDR7, Samsung espera prestar relojes de 32 Gbps, adjuntado con una tecnología de «corrección de fallos en el mismo instante».

Al tiempo, Samsung aprovechó para descubrir los primeros datos de las memorias GDDR7, las que aún no tienen fecha de publicación, pero garantizan prestar velocidades mucho más de un 70% superiores a las GDDR6, entregando 32 Gbps.

El desarrollador asimismo mencionó que estas memorias deberían tener una función de «corrección de fallos en el mismo instante», si bien no explicó de qué forma funcionaría esta tecnología. Merece la pena apuntar que, exactamente la misma con DDR6, tienen la posibilidad de suceder cambios hasta el momento en que se publiquen los factores oficiales de JEDEC.

HBM3 de 800 GB/s entra en producción en 2022

Las memorias HBM (High-Bandwidth Memory) son resoluciones cuya arquitectura deja lograr tasas de transferencia increíblemente altas. En consecuencia, esta clase de memoria tiende a estar designado a la computación de prominente desempeño (HPC) en únidad central de procesamiento y GPU de servidor. El estándar de hoy es HBM2, con tasas de transferencia de 410 GB/s, seguido por el reciente HBM2Y también, que incrementa el ancho de banda a 450 GB/s.

La compañía asimismo asegura duplicar el ancho de banda con las memorias HBM3, que van a entrar en producción en el segundo período de tres meses de 2022 (Imagen: Reproducción/Samsung)

Con el HBM3, asimismo citado a lo largo del Tech Day, Samsung quiere duplicar la agilidad a 800 GB/s, construyendo la «memoria perfecto para apps de Sabiduría Artificial». El desarrollador descubrió que la fabricación en masa de estos chips empieza en el segundo período de tres meses de 2022, entre abril y junio, y destacó el enfoque en la inteligencia artificial.

Fuente: ComputerBase, VideoCardz, WCCFTech (1, 2)

Tommy Banks
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